型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STI23NM60ND

N-channel 600 V - 0.150 廓 - 20 A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 FDmesh??II Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STI23NM60ND

N-channel 600 V, 0.150 廓, 19.5 A, FDmesh??II Power MOSFET (with fast diode) D짼PAK, I짼PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.18Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 600 V, 0.150 廓, 19.5 A, FDmesh??II Power MOSFET (with fast diode) PowerFLAT??(8x8) HV

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600 V - 0.150 廓 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh??Power MOSFET

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意法半导体

N-channel 600 V - 0.150 廓 - 20 A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 FDmesh??II Power MOSFET

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意法半导体

N-channel 600 V, 0.150 廓, 19.5 A, FDmesh??II Power MOSFET (with fast diode) D짼PAK, I짼PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247

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意法半导体

STI23NM60ND产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STI23NM60ND

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch, 600V-0.15ohms FDMesh 20A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-21 15:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
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ST
2447
SMD
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只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友

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