STB23NM60ND价格

参考价格:¥11.9128

型号:STB23NM60ND 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STB23NM60ND多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STB23NM60ND批发/采购报价,STB23NM60ND行情走势销售排行榜,STB23NM60ND报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STB23NM60ND

N-channel 600 V - 0.150 廓 - 20 A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 FDmesh??II Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB23NM60ND

N-channel 600 V, 0.150 廓, 19.5 A, FDmesh??II Power MOSFET (with fast diode) D짼PAK, I짼PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB23NM60ND

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:314.45 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.18Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 600 V - 0.150 廓 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh??Power MOSFET

文件:554.08 Kbytes Page:19 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600 V, 0.150 廓, 19.5 A, FDmesh??II Power MOSFET (with fast diode) PowerFLAT??(8x8) HV

文件:473 Kbytes Page:11 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB23NM60ND产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STB23NM60ND

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 600V 0.150 Ohm 19.5A FDmesh II MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-7 11:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
22+
N/A
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    2021-9-18