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STH60N10

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on)= 0.02 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100C ■ LOW GATE CHARGE ■ VERY HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175°C OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION APPLI

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STH60N10

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意法半导体

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Fast Switching Speed

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STH60N10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STH60N10

  • 制造商

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称

    STMicroelectronics

  • 功能描述

    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

更新时间:2026-1-28 12:00:00
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ST
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