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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STF16N60M2 | N-Channel Power MOSFET FEATURES ·Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.32Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·Switching application | ISC 无锡固电 |   | |
STF16N60M2 | Extremely low gate charge 文件：383.93 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
N-channel 600 V, 0.28 廓 typ., 12 A MDmesh??M2 Power MOSFET in TO-220 and IPAK packages Description These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high eff | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Extremely low gate charge 文件：453.02 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-channel 600 V, 0.290 廓 typ., 8 A MDmesh??M2 Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 HV package 文件：479.46 Kbytes Page：15 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-10-28
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