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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.48Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-channel500V,0.40廓,11ATO-220,TO-220FP,TO-247Zener-protectedSuperMESHTMPowerMOSFET

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-channel500V,0.40廓,11ATO-220,TO-220FP,TO-247Zener-protectedSuperMESHTMPowerMOSFET

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意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-channel500V,0.40廓,11ATO-220,TO-220FP,TO-247Zener-protectedSuperMESHTMPowerMOSFET

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-10-31 23:36:03
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
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TO-220-3
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