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STD9NM60N价格
参考价格：￥5.7630
型号：STD9NM60N 品牌：STMICROELECTRONICS 备注：这里有STD9NM60N多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STD9NM60N批发/采购报价，STD9NM60N行情走势销售排行榜，STD9NM60N报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STD9NM60N | N-channel600V,0.63ohm,6.5ATO-220,TO-220FP,DPAKMDmeshllPowerMOSFET Description ThisseriesofdevicesisrealizedwiththesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayoutto yieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemo | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  |   |
STD9NM60N | iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：324.58 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
N-CHANNEL600V-0.55Ω-8.3ATO-220/DPAK/IPAKMDmesh™PowerMOSFET TYPICALRDS(on)=0.55Ω HIGHdv/dtANDAVALANCHECAPABILITIES IMPROVEDESDCAPABILITY LOWINPUTCAPACITANCEANDGATE CHARGE LOWGATEINPUTRESISTANCE TIGHTPROCESSCONTROLANDHIGH MANUFACTORINGYIELDS DESCRIPTION TheMDmesh™isanewrevolutionaryMOSFET technologythata | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
9.0A,600VN-CHANNELSUPER-JUNCTIONMOSFET DESCRIPTION TheUTC9NM60isaSuperJunctionMOSFETStructureand isdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitching time,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandahighrugged avalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedat DC-DCconvertersforpowera | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
9.0A,600VN-CHANNELSUPER-JUNCTIONMOSFET DESCRIPTION TheUTC9NM60isaSuperJunctionMOSFETStructureand isdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitching time,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandahighrugged avalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedat DC-DCconvertersforpowera | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
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N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：1.10575 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
STD9NM60N产品属性
- 类型
描述
- 型号
STD9NM60N
- 功能描述
MOSFET N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
DPAK |
3800 |
大批量供应优势库存热卖 |
|||
ST |
TO-251 |
93480 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
STM |
21+ |
N/A |
42500 |
深圳通 |
|||
ST(意法半导体) |
TO-252-3 |
2078 |
全新原装,价格优势 |
||||
ST/意法 |
23+ |
TO-252 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
ST/意法 |
22+ |
TO-252-3 |
2078 |
原装正品优势现货 |
|||
ST |
22+23+ |
TO-252 |
14852 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
ST |
21+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
ST |
2305+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83268678邹小姐 |
|||
ST/意法 |
22+ |
TO-252-3 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
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STD9NM60N规格书下载地址
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优势库存
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STDP3100-AB
2019-10-30
DdatasheetPDF页码索引
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