STD6N95K5

制造商编号：STD6N95K5

制造商：STMicroelectronics

说明：MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5 选择属性

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 950 V

Id-连续漏极电流: 9 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.25 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 13 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 90 W

通道模式: Enhancement

商标名: MDmesh

系列: STD6N95K5

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: STMicroelectronics

配置: Single

产品类型: MOSFET

2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

单位重量: 330 mg

描述

这款N-沟道稳压保护功率MOSFETs采用ST革命性的耐雪崩、超高压SuperMESH™ 5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。

所有功能

采用DPAK封装，额定电压为950 V，具有全球领先的 RDS(on)

全球出色的品质因数（FoM）

极低的栅极电荷

经过100％雪崩测试

稳压保护