制造商编号：STD6N95K5
制造商：STMicroelectronics
说明：MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5 选择属性
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 950 V
Id-连续漏极电流: 9 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.25 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 13 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 90 W
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
系列: STD6N95K5
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
产品类型: MOSFET
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 330 mg
描述
这款N-沟道稳压保护功率MOSFETs采用ST革命性的耐雪崩、超高压SuperMESH™ 5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
所有功能
采用DPAK封装，额定电压为950 V，具有全球领先的 RDS(on)
全球出色的品质因数（FoM）
极低的栅极电荷
经过100％雪崩测试
稳压保护
