N沟道900 V、0.91 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装

这款超高压N-沟道功率MOSFET采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。 • 业界领先的低RDS(on) x 面积 \n• 业界出色的品质因数（FoM） \n• 极低的栅极电荷 \n• 经过100％雪崩测试 \n• 稳压保护;

Ultra-low gate charge

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丝印代码：6N90K5；N-channel 900 V, 0.91 廓 typ., 6 A MDmesh??K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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N-channel 900 V, 0.91 廓 typ., 6 A MDmesh??K5 Power MOSFET in an I짼PAK package

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丝印代码：6N90K5；N-channel 900 V, 0.91 廓 typ., 6 A MDmesh??K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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