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汽车级N沟道40 V、7 mOhm典型值、54 A STripFET F6功率MOSFET,DPAK封装

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages. • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified \n• Very low on-resistance \n• Very low gate charge \n• High avalanche ruggedness \n• Low gate drive power loss;

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Very low on-resistance

文件:471.18 Kbytes Page:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD64N4F产品属性

  • 类型

    描述

  • Package:

    DPAK

  • Grade:

    Automotive

  • VDSS(V):

    40

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.0082

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    54

  • PTOT_max(W):

    60

  • Qg_typ(nC):

    44

更新时间:2026-5-24 0:55:00
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