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位置：首页 > IC中文资料第497页 > STD5NK52ZD-1

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STD5NK52ZD-1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=520V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
STD5NK52ZD-1

N-channel520V-1.22廓-4.4A-TO-220-DPAK-I2PAK-IPAKZener-protectedSuperMESH??PowerMOSFET

文件：396.17 Kbytes Page：17 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
STD5NK52ZD-1

N-channel520V,1.22廓,4.4A,TO-220,IPAK,I2PAK,DPAK,TO-220FPZener-protectedSuperMESH??PowerMOSFET

文件：777.75 Kbytes Page：17 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
STB5NK52ZD-1

N-channel520V-1.22廓-4.4A-TO-220-DPAK-I2PAK-IPAKZener-protectedSuperMESH??PowerMOSFET

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N-channel520V,1.22廓,4.4A,TO-220,IPAK,I2PAK,DPAK,TO-220FPZener-protectedSuperMESH??PowerMOSFET

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

STD5NK52ZD-1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STD5NK52ZD-1

  • 功能描述

    MOSFET N Ch 520V 1.22 Ohm 4.4A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

STD5NK52ZD-1供应商更多...

更新时间：2025-7-28 8:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市诚利顺电子科技有限公司
STD5NK52ZD-1
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STD5NK60Z
ST
TO252DPAK
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6000
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STD5NK52ZD-1规格书下载地址

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