N沟道800 V、1.50 Ohm典型值、4 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装

这款超高压N-沟道功率MOSFET采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。 • 业界领先的低 RDS(on) x 面积 \n• 业界出色的品质因数（FoM） \n• 极低的栅极电荷 \n• 经过100％雪崩测试 \n• 稳压保护;

N-channel 800 V, 1.50 (ohm) typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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N-channel 800 V, 1.50(ohm) typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

Description This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficie

N-channel 800 V, 1.50 (ohm) typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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Isc N-Channel MOSFET Transistor

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N-channel 800 V, 1.50(ohm) typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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