| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 150mΩ ID 10A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free | EXCELLIANCE 杰力科技 |   | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.5Ω(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC converter, p | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：356.12 Kbytes Page：10 Pages | CYSTEKEC 全宇昕科技 | | ||
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100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：405.63 Kbytes Page：8 Pages | PANJIT 強茂 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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