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Power Field Effect Transistors

Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement Mode Silicon Gate DPAK for Surface Mount or Insertion Mount

MOTOROLA

摩托罗拉

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.4Ω(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC converter, po

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.4Ω(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC converter, po

ISC

无锡固电

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE

文件:112.54 Kbytes Page:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

丝印代码:5N06;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:339.17 Kbytes Page:4 Pages

SECOS

喜可士

更新时间:2026-5-24 0:55:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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