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STD4N62K3价格
参考价格:¥4.4532
型号:STD4N62K3 品牌:STMICROELECTRONICS 备注:这里有STD4N62K3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STD4N62K3批发/采购报价,STD4N62K3行情走势销售排行榜,STD4N62K3报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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STD4N62K3 | N-channel 620 V, 1.7 廓, 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFET 文件:1.04984 Mbytes Page:18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | ||
N-channel 620 V, 1.7 廓 typ., 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFET Description These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low onresistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, renderi | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |||
N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件:1.07815 Mbytes Page:9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |||
N-channel 620 V, 1.7 廓, 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFET 文件:1.04984 Mbytes Page:18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |||
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件:1.10285 Mbytes Page:9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |
STD4N62K3产品属性
- 类型
描述
- 型号
STD4N62K3
- 功能描述
MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/意法 |
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ST |
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