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汽车级N沟道100 V、0.0125 Ohm典型值、45 A STripFET F7功率MOSFET,DPAK封装

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。 • 通过AEC-Q101认证 \n• 处于市面上最低的 RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数(FoM) \n• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;

STMICROELECTRONICS

意法半导体

丝印代码:47N10F7;Automotive-grade N-channel 100 V, 12.5 m廓 typ., 45 A, STripFET??F7 Power MOSFET in a DPAK package

文件:801.25 Kbytes Page:16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD47N10F7产品属性

  • 类型

    描述

  • Package:

    DPAK

  • Grade:

    Automotive

  • VDSS(V):

    100

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.016

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    45

  • PTOT_max(W):

    60

  • Qg_typ(nC):

    25

更新时间:2026-5-24 0:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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