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STD36P4LLF6

P沟道40 V、0.0175 Ohm典型值、36 A STripFET F6,DPAK封装

This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages. • Very low on-resistance \n• Very low gate charge \n• High avalanche ruggedness \n• Low gate drive power loss;

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD36P4LLF6

丝印代码:36P4LLF6;P-channel 40 V, 0.0175 廓 typ.,36 A, STripFET??F6 Power MOSFET in a DPAK package

文件:450.05 Kbytes Page:16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD36P4LLF6

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:973.69 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STD36P4LLF6产品属性

  • 类型

    描述

  • Package:

    DPAK

  • Grade:

    Industrial

  • VDSS(V):

    -40

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω):

    0.029

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.022

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    -36

  • PTOT_max(W):

    60

  • Qg_typ(nC):

    22

更新时间:2026-7-29 13:50:00
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