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STD35P6LLF6

-60V P-Channel MOSFET

Order code VDSS RDS(on) max. STD35P6LLF6 60 V 0.028 Ω 35 Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Features VDS (V) = -60V RDS(ON)

UMW

友台半导体

STD35P6LLF6

-60V P-Channel MOSFET

Features Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss VDS (V) = -60V RDS(ON)

EVVOSEMI

翊欧

STD35P6LLF6

P沟道60 V、0.025 Ohm典型值、35 A STripFET F6功率MOSFET,DPAK封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD35P6LLF6

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

STD35P6LLF6

P-channel 60 V, 0.025 廓 typ., 35 A STripFET??F6 Power MOSFET in a DPAK package

文件:754.12 Kbytes Page:16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-9-26 20:52:00
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