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STD30N6LF6AG

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 25mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Switching power supplies,converters,AC and DC motor

ISC

无锡固电

STD30N6LF6AG

汽车级N沟道60 V、19 mOhm典型值、24 A STripFET F6功率MOSFET,DPAK封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD30N6LF6AG

Automotive-grade N-channel 60 V, 19 m廓 typ., 24 A STripFET??F6 Power MOSFET in a DPAK package

文件:447.27 Kbytes Page:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-11-17 23:00:00
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