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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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STD30N6LF6AG | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 25mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Switching power supplies,converters,AC and DC motor | ISC 无锡固电 |   | |
STD30N6LF6AG | Automotive-grade N-channel 60 V, 19 m廓 typ., 24 A STripFET??F6 Power MOSFET in a DPAK package 文件：447.27 Kbytes Page：15 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
更新时间：2025-8-14 20:18:00
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