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STD2NA60

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”) ■ SURFACE-MOUNTING D

STMICROELECTRONICS

意法半导体

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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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600V N-Channel MOSFET

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更新时间:2025-9-26 17:12:00
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一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理

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