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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STD25P03LT4G | MOSFET – Power, P-Channel, Logic Level, DPAK -25 A, -30 V Designed for low voltage, high speed switching applications and to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The sourceïtoïdrain diode recovery time is comparable to a discrete fast recovery diode. Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uniqu | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
STD25P03LT4G | Power MOSFET | ONSEMI 安森美半导体 | | |
STD25P03LT4G | Power MOSFET 文件：117.9 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Power MOSFET 文件：74.3 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET -25 Amp, -30 Volt 文件：160.39 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET -25 Amp, -30 Volt 文件：160.39 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.0148 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Power MOSFET 文件：117.9 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
STD25P03LT4G产品属性
- 类型
描述
- 型号
STD25P03LT4G
- 功能描述
MOSFET PFET 30V SPCL TR
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
20+ |
TO-252 |
63258 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
ST |
21+ |
TO-252 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
DPAK-3 |
986966 |
国产 |
|||
STMICROELECTRONICS |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
ST |
24+ |
TO-252 |
7500 |
||||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
60000 |
||||
ST |
24+ |
TO-252(2引线+接 |
374 |
原装现货假一罚十 |
|||
STMicroelectronics |
21+ |
DPAK |
5000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
|||
ST |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
DPAK-3 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
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- t2010
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