NTD25P03LT4G价格

参考价格:¥1.8095

型号:NTD25P03LT4G 品牌:ON 备注:这里有NTD25P03LT4G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NTD25P03LT4G批发/采购报价,NTD25P03LT4G行情走势销售排行榜,NTD25P03LT4G报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NTD25P03LT4G

MOSFET – Power, P-Channel, Logic Level, DPAK -25 A, -30 V

Designed for low voltage, high speed switching applications and to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The sourceïtoïdrain diode recovery time is comparable to a discrete fast recovery diode. Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uniqu

ONSEMI

安森美半导体

NTD25P03LT4G

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= -30V, ID= -20A RDS(ON)

Bychip

百域芯

NTD25P03LT4G

Power MOSFET -25 Amp, -30 Volt

文件:160.39 Kbytes Page:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD25P03LT4G

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.0148 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD25P03LT4G

Power MOSFET

文件:117.9 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET -25 Amp, -30 Volt

文件:160.39 Kbytes Page:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD25P03LT4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTD25P03LT4G

  • 功能描述

    MOSFET -30V -25A P-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-15 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
TO252
9548
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
ON
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ON(安森美)
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