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STD1NB60T4

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件:1.08799 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

STD1NB60T4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STD1NB60T4

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 600V 1A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-7-15 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
NA/
10000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ST/意法
22+
TO-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
ST
01+
SOT-252
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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23+
TO-252
18689
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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