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STD1NB60T4中文资料

厂家型号

STD1NB60T4

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9

功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

MOSFET N-CH 600V 1A

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

STD1NB60T4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STD1NB60T4

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 600V 1A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-5 14:24:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
23+
TO252
6996
只做原装正品现货
ST/意法
24+
SOT-252
552
只做原厂渠道 可追溯货源
ST
17+
TO-252
6200
ST
24+
TO-252
2120
ST
06+
?TO-252
1000
自己公司全新库存绝对有货
ST
24+
SOT-252
5000
只做原装公司现货
ST
25+
TO-252
2987
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电!
ST
01+
SOT-252
450
现货
ST
2447
SOT252
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
ST
23+
SOT-252
50000
全新原装正品现货,支持订货