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STD170N4F7AG

Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 m typ., 80 A STripFETTM F7 Power MOSFET in a DPAK package

Features  AEC-Q101 qualified  Among the lowest RDS(on) on the market  Excellent FoM (figure of merit)  Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity  High avalanche ruggedness Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFETTM F7 technology with an enhanced trench gate structure th

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-8-18 12:00:00
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