N沟道60 V、0.0031 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 处于市面上最低的RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;

N-channel 60 V, 3.1 m(ohm) typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

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Six-step brushless motor driver evaluation board for applications based on the STSPIN32F0B BLDC controller

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STSPIN32F0A advanced 3-phase BLDC driver with embedded STM32 MCU single shunt evaluation board

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丝印代码：DPAK；Isc N-Channel MOSFET Transistor

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N-channel 60 V, 0.0031 (ohm) typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220FP package

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N-channel 60 V, 2.4 m廓 typ., 140 A STripFET??F7 Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 package

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High avalanche ruggedness

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