STD10NM60N价格

参考价格:¥6.0368

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STD10NM60N

N-channel600V,0.53ohm,10A,DPAK,TO-220,TO-220FP,IPAKMDmeshIIPowerMOSFET

Description ThesedevicesareN-channel600VPowerMOSFETrealizedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ItappliesthebenefitsofthemultipledrainprocesstoSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproductoffersimprovedon-resistanc

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
STD10NM60N

IscN-ChannelMOSFETTransistor

•FEATURES •WithTo-252(DPAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ​​​​​​​ •APPLICATIONS •Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-channel600V,0.57,8A,DPAK,TO-220FP,TO-220FDmeshIIPowerMOSFET(withfastdiode)

Description ThisFDmesh™IIPowerMOSFETwithintrinsicfast-recoverybodydiodeisproducedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.Utilizinganewstrip-layoutverticalstructure,thisrevolutionarydevicefeaturesextremelylowonresistanceandsuperiorswitchingperformance.Itis

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

文件:2.15015 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

文件:2.1502 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

STD10NM60N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STD10NM60N

  • 功能描述

    MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-7-5 19:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
NA
8560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
ST(意法半导体)
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ST/意法半导体
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