IGBT Sunbber

Snubber,吸收电容，适用于IGBT缓冲线路的突波吸收， 具有多种规格和安装方式，以满足设计需求。 工作温度 : - 40 至 + 85 ˚C\n容量范围 : 0.0068 至 8.5μF\n额定电压 : 700 至 3000 VDC\n容量偏差 : ± 5% , ± 10%\n损耗因素 : ≤6×10-3 @100Hz 20±5˚C\n预期寿命 : 100,000 小时@Un, 70 ˚C (热点温度)\n极间耐压 : 1.5Un (DC) , （ 10s , 20±5˚C）\n极壳耐压 : (1.5Un+1000)VAC,最小3000VAC（10s，50Hz）\n绝缘电阻 : （ IR×Cn） 30000s（不超过;

IGBT Sunbber

Snubber,吸收电容，适用于IGBT缓冲线路的突波吸收， 具有多种规格和安装方式，以满足设计需求。 工作温度 : - 40 至 + 85 ˚C\n容量范围 : 0.0068 至 8.5μF\n额定电压 : 700 至 3000 VDC\n容量偏差 : ± 5% , ± 10%\n损耗因素 : ≤6×10-3 @100Hz 20±5˚C\n预期寿命 : 100,000 小时@Un, 70 ˚C (热点温度)\n极间耐压 : 1.5Un (DC) , （ 10s , 20±5˚C）\n极壳耐压 : (1.5Un+1000)VAC,最小3000VAC（10s，50Hz）\n绝缘电阻 : （ IR×Cn） 30000s（不超过;

IGBT Sunbber

Snubber,吸收电容，适用于IGBT缓冲线路的突波吸收， 具有多种规格和安装方式，以满足设计需求。 工作温度 : - 40 至 + 85 ˚C\n容量范围 : 0.0068 至 8.5μF\n额定电压 : 700 至 3000 VDC\n容量偏差 : ± 5% , ± 10%\n损耗因素 : ≤6×10-3 @100Hz 20±5˚C\n预期寿命 : 100,000 小时@Un, 70 ˚C (热点温度)\n极间耐压 : 1.5Un (DC) , （ 10s , 20±5˚C）\n极壳耐压 : (1.5Un+1000)VAC,最小3000VAC（10s，50Hz）\n绝缘电阻 : （ IR×Cn） 30000s（不超过;

ADAPTER-18W

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ADAPTER-18W

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ADAPTER - 36W / 48W/ 60W

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ADAPTER - 50W

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ADAPTER - 65W

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ADAPTER - 90W

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