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STB6NC90Z-1

N-CHANNEL 900V - 1.55ohm - 5.4A TO-220/FP/D짼PAK/I짼PAK Zener-Protected PowerMESH?줚II MOSFET

DESCRIPTION The third generation of MESH OVERLAY™ Power MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed on-resistance per unit area while integrating back-toback Zener diodes between gate and source. Such arrangement gives extra ESD capability with higher ruggedness performance as requested by

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-8-18 23:01:00
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