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STB6N65K3	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：MOSFET N-CH 650V DPAK 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB6N65K3	MOSFET N-CH 650V D2PAK	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STF6N65K3	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 5.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =1.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.	ISC 无锡固电	ISC
STU6N65K3	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 5.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =1.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.	ISC 无锡固电	ISC
STF6N65K3	N-channel 650 V, 1.1 ohm typ., 5.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, IPAK 文件：906.85 Kbytes Page：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STFI6N65K3	N-channel 650 V, 1.1 ohm typ., 5.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, IPAK 文件：906.85 Kbytes Page：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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更新时间：2025-12-28 21:45:00

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STB35N65DM2
STB35N65DM2芯片是一种功能强大、性能稳定的高性能功率MOSFET，具有广泛的应用前景。它的高效率、可靠性和多种保护功能使得它成为各种功率应用中的理想选择，将为工业、汽车和消费电子等领域的发展提供强大的支持。
2023-11-24
STBR3012G2Y-T
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2022-12-14
STB13NM60N
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2022-8-11
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STBC08PMR 电池充电管理芯片 ST 封装DFN6
2022-8-2
STC-1000V-0.15UF-2V 脚距27.5
STC-1000V-0.15UF-2V 脚距27.5电容现货元器件配单
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STB20N90K5 瑞智芯只有原装
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2021-9-18