STB5N62K3价格

参考价格:¥4.2786

型号:STB5N62K3 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STB5N62K3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STB5N62K3批发/采购报价,STB5N62K3行情走势销售排行榜,STB5N62K3报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STB5N62K3

N-channel 620 V, 1.28 ohm, 4.2 A SuperMESH3 Power MOSFET

Description These devices are made using the SuperMESH3™ Power MOSFET technology that is obtained via improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology combined with a new optimized vertical structure. The resulting product has an extremely low on resistance, superior dynamic perf

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB5N62K3

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

文件:1.10908 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 4.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=620V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance; -RDS(on) = 1.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 620 V, 1.28 ohm, 4.2 A SuperMESH3 Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.10806 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STB5N62K3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STB5N62K3

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 620V 1.28V Ohm 4.2A SuperMESH3

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-21 18:33:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
17
TO-263
3000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ST
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一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理
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