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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: The ADM55N03Z uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with l

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爱德微

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 55mΩ ID 3.5A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field E ffect Transistor

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N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field E ffect Transistor

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25V N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET

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CHAMP

虹冠电子

更新时间:2025-12-31 12:07:01
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