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Automotive-grade N-channel 600 V, 70 m typ., 36 A MDmesh™ DM6 Power MOSFET in a D2PAK package

Features • AEC-Q101 qualified • Fast-recovery body diode • Lower RDS(on) per area vs previous generation • Low gate charge, input capacitance and resistance • 100 avalanche tested • Extremely high dv/dt ruggedness • Zener-protected Description This high-voltage N-channel Power MOSFET is

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意法半导体

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

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意法半导体

汽车级N沟道600 V、70 mOhm典型值、36 A MDmesh DM6功率MOSFET,D2PAK封装

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意法半导体

Automotive-grade N-channel 600 V, 70 m typ., 36 A MDmeshTM DM6 Power MOSFET in an I²PAK package

Features • AEC-Q101 qualified • Fast-recovery body diode • Lower RDS(on) per area vs previous generation • Low gate charge, input capacitance and resistance • 100 avalanche tested • Extremely high dv/dt ruggedness • Zener-protected Description This high-voltage N-channel Power MOSFET is

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意法半导体

Automotive-grade N-channel 600 V, 70 m廓 typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in an HU3PAK package

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更新时间:2026-1-2 20:00:00
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原厂封装
10280
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TO-263
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公司只做原装 品质保障

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