位置：首页 > IC中文资料第766页 > STB19NB20
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STB19NB20 | N-CHANNELENHANCEMENTMODEPowerMESH]MOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofPowerMOSFETswithoutstandingperformance.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)perar | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 |  |   |
N-CHANNEL200V-0.15ohm-19A-TO-220/TO-220FP/I2PAKPowerMESH??MOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprieratyedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | | |
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N-CHANNEL200V-0.15ohm-19A-TO-220/TO-220FP/I2PAKPowerMESH??MOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprieratyedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | |
STB19NB20产品属性
- 类型
描述
- 型号
STB19NB20
- 功能描述
MOSFET N-Ch 200 Volt 19 Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
ST |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
504153 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
ST |
23+ |
TO-263 |
8795 |
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ST |
25+23+ |
TO-263 |
14705 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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ST |
17+ |
TO-263 |
6200 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
485 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
ST/意法 |
2223+ |
TO-263 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
|||
SGS |
100 |
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24+ |
N/A |
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