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N-channel 200 V, 1.1 廓, 1 A SOT-223 low gate charge STripFET??II Power MOSFET

This N-channel 200 V realized with STMicroelectronics unique STripFET process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high efficiency isolated DC-DC converters.

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features Vos = 200V Ib=10A @Ves = 10V Rosion) £1.35Q @Ves = 10V SOT-223 package.

TECHPUBLIC

台舟电子

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

文件:1.03079 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-11-1 9:36:01
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