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EpitaxialPlanarPNPTransistors

EpitaxialPlanarPNPTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRONWEITRON

威堂電子科技

WEITRON

Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:600mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-20V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

TEL

LowVCE(sat)Transistor

■Features ●ExcellentDCcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementaryto2SD2150

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

PNPSiliconMediumPowerTransistor

FEATURES Powerdissipation PCM:600mWTemp.=25°C Collectorcurrent ICM:-3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-20V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJTstg:-55°Cto+150°C

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS

LowVCE(sat)Transistor(−20V,−3A)

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ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
更新时间:2024-5-31 23:00:01
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