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PNPPlastic-EncapsulateTransistors

PNPPlastic-EncapsulateTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRONWEITRON

威堂電子科技

WEITRON

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC2SB1132isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES *LowVCE(SAT). VCE(SAT)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-500mA/-50mA)

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

TEL

PNPSiliconMediumPowerTransistor

FEATURES •Lowpowerdissipation0.5W

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS

MediumPowerTransistor

Features ●LowVCE(sat) ●Complimentsto2SD1664

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
更新时间:2024-6-3 21:29:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
23+
SOT-89
11092
05+
原厂原装
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ROHM/罗姆
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UTC
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UTC
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ROHM/罗姆
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SOT-89
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