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2SB1132晶体管资料

  • 2SB1132别名：2SB1132三极管、2SB1132晶体管、2SB1132晶体三极管

  • 2SB1132生产厂家：TOY

  • 2SB1132制作材料：Si-PNP

  • 2SB1132性质：表面帖装型 （SMD）_低频或音频放大 （LF）_输出极

  • 2SB1132封装形式：直插封装

  • 2SB1132极限工作电压：40V

  • 2SB1132最大电流允许值：1A

  • 2SB1132最大工作频率：150MHZ

  • 2SB1132引脚数：3

  • 2SB1132最大耗散功率：

  • 2SB1132放大倍数：

  • 2SB1132图片代号：A-70

  • 2SB1132vtest：40

  • 2SB1132htest：150000000

  • 2SB1132atest：1

  • 2SB1132wtest：0

  • 2SB1132代换 2SB1132用什么型号代替：BCX51,BCX52,BCX53,2SA1203,2SA1364,2SB766,2SB766A,2SB1002,2SB1115,2SB1122,2SB1123,

2SB1132价格

参考价格：￥0.7349

型号：2SB1132T100P 品牌：ROHM 备注：这里有2SB1132多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SB1132批发/采购报价，2SB1132行情走势销售排行榜，2SB1132报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SB1132

MediumPowerTransistor

MediumPowerTransistor(-32V,-1A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA) 2)Compliments2SD1664/2SD1858 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1132

PNPPlastic-EncapsulateTransistors

PNPPlastic-EncapsulateTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

WEITRON
2SB1132

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC2SB1132isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES *LowVCE(SAT). VCE(SAT)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-500mA/-50mA)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

TELTokyo Electron Ltd.

东电电子东京电子有限公司

TEL
2SB1132

PNPSiliconMediumPowerTransistor

FEATURES •Lowpowerdissipation0.5W

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
2SB1132

MediumPowerTransistor

Features ●LowVCE(sat) ●Complimentsto2SD1664

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SB1132

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES •LowVCE(sat):-0.2V(Typ)IC/IB=-500mA/-50mA •Compliments2SD1664

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司

HTSEMI
2SB1132

MediumPowerTransistor(-32V,??1A)

MediumPowerTransistor(-32V,-1A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA) 2)Compliments2SD1664/2SD1858 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1132

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
2SB1132

SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors

SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •LowVCE(sat) •Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH

WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP

威伦威伦电子股份有限公司

WILLAS
2SB1132

PNPGeneralPurposeAmplifier

FEATURES LowVCE(SAT)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA). ComplementaryNPNtypeavailable 2SD1664. APPLICATIONS Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifier andswitching.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ
2SB1132

-1A,-40VPNPSiliconMediumPowerTransistor

文件：462.54 Kbytes Page：2 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
2SB1132

PNPTransistors

文件：798.72 Kbytes Page：4 Pages

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
2SB1132

Plastic-EncapsulateTransistors

文件：193.82 Kbytes Page：2 Pages

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰电子有限公司

HOTTECH
2SB1132

SOT-89Transistor(PNP)

文件：1.549 Mbytes Page：4 Pages

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司

LUGUANG
2SB1132

PNPSILICONEPITAXIALMEDIUMPOWERTRANSISTOR

文件：556.07 Kbytes Page：3 Pages

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SB1132

PNPGeneralPurposeAmplifier

文件：202.23 Kbytes Page：4 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SB1132

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

文件：173.84 Kbytes Page：5 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132

SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors

文件：1.60068 Mbytes Page：4 Pages

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU
2SB1132

SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage

文件：1.77668 Mbytes Page：6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SB1132

MediumPowerTransistor(−32V,−1A)

文件：79.9 Kbytes Page：5 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1132

LowVCE(sat)0.2V(Typ)IC/IB=-500mA/-50mA

文件：124.03 Kbytes Page：2 Pages

MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

美科半导体美科半导体股份（香港）有限公司

MAKOSEMI
2SB1132

MediumPowerTransistor(-32V,-1A)

文件：179.26 Kbytes Page：5 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1132

PNPSiliconMediumPowerTransistor

文件：177.46 Kbytes Page：3 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
2SB1132L-P-AB3-R

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC2SB1132isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES *LowVCE(SAT). VCE(SAT)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-500mA/-50mA)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132L-P-AB3-T

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友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132L-P-TN3-R

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友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132L-P-TN3-T

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友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132L-Q-AB3-R

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友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132L-Q-AB3-T

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友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132L-Q-TN3-R

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132L-Q-TN3-T

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友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132L-R-AB3-R

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友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132L-R-AB3-T

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友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132L-R-TN3-R

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132L-R-TN3-T

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132L-X-AB3-R

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132L-X-TN3-R

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC2SB1132isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES *LowVCE(SAT). VCE(SAT)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-500mA/-50mA)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132L-X-TN3-T

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC2SB1132isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES *LowVCE(SAT). VCE(SAT)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-500mA/-50mA)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132-P

PNPPlastic-EncapsulateTransistors

PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Powerdissipation:PCM=0.5W(Tamb=25) •Collectorcurrent:ICM=-1A •Collector-basevoltage:V(BR)CBO=-40V •Operatingandst

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SB1132-P-AB3-R

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132-P-AB3-T

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132PT

PNPMediumPowerTransistor

SURFACEMOUNTPNPMediumPowerTransistor VOLTAGE32VoltsCURRENT1Ampere FEATURE *Highcurrentgain. *Suitableforhighpackingdensity. *Lowcolloector-emittersaturation. *Highsaturationcurrentcapability. *Smallflatpackage.(SC-62/SOT-89) APPLICATION *Telephonyandprof

CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD.

力勤力勤股份有限公司

CHENMKO
2SB1132-P-TN3-R

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132-P-TN3-T

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132-Q

PNPPlastic-EncapsulateTransistors

PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Powerdissipation:PCM=0.5W(Tamb=25) •Collectorcurrent:ICM=-1A •Collector-basevoltage:V(BR)CBO=-40V •Operatingandst

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SB1132-Q-AB3-R

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132-Q-AB3-T

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

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2SB1132-Q-TN3-R

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132-Q-TN3-T

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132-R

PNPPlastic-EncapsulateTransistors

PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Powerdissipation:PCM=0.5W(Tamb=25) •Collectorcurrent:ICM=-1A •Collector-basevoltage:V(BR)CBO=-40V •Operatingandst

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SB1132-R-AB3-R

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

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2SB1132-R-AB3-T

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132-R-TN3-R

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

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2SB1132-R-TN3-T

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132T100P

MediumPowerTransistor(-32V,??1A)

MediumPowerTransistor(-32V,-1A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA) 2)Compliments2SD1664/2SD1858 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1132-X-AB3-R

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132-X-TN3-R

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132-X-TN3-T

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1132_09

MediumPowerTransistor(-32V,-1A)

文件：179.26 Kbytes Page：5 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

2SB1132产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB1132

  • 制造商

    ROHM Semiconductor

  • 功能描述

    Bipolar Junction Transistor, PNP Type, SC-62

2SB1132供应商更多...

更新时间：2025-6-19 19:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市华睿芯科技有限公司
2SB1132
ROHM
24+
SOT-89
20000
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！
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深圳市正迈科技有限公司
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CJ
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专业电子元器件供应链正迈科技特价代理QQ1304306553
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深圳市恒佳微电子有限公司
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长电
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十年专营,原装现货,假一赔十
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中天科工半导体（深圳）有限公司
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深圳市益百分电子有限公司
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上海专毅电子科技有限公司
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长电/长晶
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40000
全新原装进口现货QQ505546343手机17621633780曹小姐
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市讯顺达科技有限公司
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千层芯半导体(深圳)有限公司
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    2023-3-14

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    2SA928AL-TO92NLB-Y-TG

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  • 2SB649 MOS

    www.jskj-ic.com

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    2012-11-9

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