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ST112003

ALL DIMENSIONS IN MM [INCH]

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E-SWITCH

Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description ACE112003B uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a load switch or battery protection applications. Features ⚫ VDS=24V ⚫ ID=10A ⚫ RDS(ON)1@VGS = 4.5V, ≤ 7.9mΩ ⚫ RDS(ON)2@VGS = 4.0V, ≤ 8.1mΩ ⚫ RDS(ON)1@VG

ACE

Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description ACE112003B uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a load switch or battery protection applications. Features ⚫ VDS=24V ⚫ ID=10A ⚫ RDS(ON)1@VGS = 4.5V, ≤ 7.9mΩ ⚫ RDS(ON)2@VGS = 4.0V, ≤ 8.1mΩ ⚫ RDS(ON)1@VG

ACE

Screwless Connectors Block Connectors 930-00/ 3

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ADELS

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E-SWITCH

更新时间:2025-10-28 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PANASONIC
2016+
DIP
26520
全新原装,假一罚十,公司主营继电器!
PANASONIC/松下
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模块原装主营-可开原型号增税票
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公司大量全新现货 随时可以发货
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