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厂家型号	ACE112003BQN+H
文件大小	219.6Kbytes
页面数量	3页
功能描述	Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
数据手册	下载地址一下载地址二
生产厂商	ACE

Description

ACE112003B uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate

charge. It can be used in a load switch or battery protection applications.

Features

⚫ VDS=24V

⚫ ID=10A

⚫ RDS(ON)1@VGS = 4.5V, ≤ 7.9mΩ

⚫ RDS(ON)2@VGS = 4.0V, ≤ 8.1mΩ

⚫ RDS(ON)1@VGS = 3.8V, ≤ 8.2mΩ

⚫ RDS(ON)2@VGS = 3.1V, ≤ 9.2mΩ

⚫ RDS(ON)2@VGS = 2.5V, ≤ 10.5mΩ

ACE112003BQN+H供应商...

更新时间：2025-10-9 14:01:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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