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ACE112003B中文资料

厂家型号

ACE112003B

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219.6Kbytes

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3

功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

ACE

ACE112003B数据手册规格书PDF详情

Description

ACE112003B uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate

charge. It can be used in a load switch or battery protection applications.

Features

⚫ VDS=24V

⚫ ID=10A

⚫ RDS(ON)1@VGS = 4.5V, ≤ 7.9mΩ

⚫ RDS(ON)2@VGS = 4.0V, ≤ 8.1mΩ

⚫ RDS(ON)1@VGS = 3.8V, ≤ 8.2mΩ

⚫ RDS(ON)2@VGS = 3.1V, ≤ 9.2mΩ

⚫ RDS(ON)2@VGS = 2.5V, ≤ 10.5mΩ

更新时间:2025-10-5 14:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NK/南科功率
2025+
SOT-523
986966
国产
FSC/ON
23+
原包装原封□□
2145
原装进口特价供应特价,原装元器件供应,支持开发样品更多详细咨询库存
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