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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SSU3055A

ADVANCED POWER MOSFET

文件:323.14 Kbytes Page:6 Pages

SAMSUNG

三星

SSU3055A

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:345.88 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

POWER TRANSISTORS(10A,60V,75W)

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS.

MOSPEC

统懋

MEDIUM POWER TMOS FET 1.7 AMP 60 VOLTS

N–Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS E–FET™ SOT–223 for Surface Mount This advanced E–FET is a TMOS Medium Power MOSFET designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient device also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time

MOTOROLA

摩托罗拉

TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.15 OHM

TMOS V™ Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.15 OHM TMOSV is a new technology designed to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles t

MOTOROLA

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POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

TIP2955 PNP TIP3055 NPN 15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS 90 WATTS . . . designed for general–purpose switching and amplifier applications. • DC Current Gain — hFE = 20–70 @ IC = 4.0 Adc • Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @

MOTOROLA

摩托罗拉

POWER TRANSISTORS(15A,60V,90W)

15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 VOLTS 90 WATTS designed for use int general-purpose amplifier and switching application NPN -> TIP3055 PNP -> TIP2955

MOSPEC

统懋

SSU3055A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SSU3055A

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    ADVANCED POWER MOSFET

更新时间:2026-8-1 19:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC
0140+
TO251
5870
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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SOT-251
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