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SST4443

Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch for Portable Applications • Battery Switch for Portable Devices • Computers - Bus Switch - Load Switch

VBSEMI

微碧半导体

SST4443

MosFET

SECOS

喜可士

SST4443

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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SECOS

喜可士

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.56281 Mbytes Page:4 Pages

SECOS

喜可士

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Description The ACE4443B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features • VDS(V)=-40V • ID=-6A (VGS=-10V) • RDS(ON)

ACE

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AO4443 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4443 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4443L is a Green Pr

AOSMD

万国半导体

P-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) =-40V ● ID =-6.5 A (VGS =-10V) ● RDS(ON)

KEXIN

科信电子

DELAY MODULES,TTL,SURFACE MOUNTED

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Fail-safe feature of the RHFLVDS32A and RHFLVDSR2D2

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-11-23 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    2012-11-8