型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SSS6N60

N CHANNEL POWER MOSFETS

Samsung

三星

SSS6N60

N-Channel 650 V (D-S) Super Junction Power MOSFET

文件:1.1738 Mbytes Page:11 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SSS6N60

N-CHANNEL POWER MOSFETS

Samsung

三星

Avalanche Energy Specified

DESCRITION · Designed for high efficiency switch mode power supply. FEATURES · Drain Current –ID= 6A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage-: VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω (Max) · Avalanche Energy Specified · Fast Switching · Simple Drive Requirements

ISC

无锡固电

6.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET

 DESCRIPTION The UTC 6N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications

UTC

友顺

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:460.3 Kbytes Page:6 Pages

ZSELEC

淄博圣诺

N-Channel Power MOSFET

文件:486.21 Kbytes Page:10 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

N-Channel 600V (D-S) Power MOSFET

文件:1.0803 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SSS6N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SSS6N60

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    N CHANNEL POWER MOSFETS

更新时间:2025-11-22 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
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6200
24+
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VBsemi
25+
TO220F
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    SSS1629,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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