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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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SSP4N80 | improved inductive ruggedness 文件：296.34 Kbytes Page：5 Pages | Samsung 三星 |   | |
SSP4N80 | improved inductive ruggedness | Samsung 三星 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：348.56 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：281.03 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Avalanche Rugged Technology | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Avalanche Rugged Technology 文件：192.68 Kbytes Page：7 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：398.61 Kbytes Page：8 Pages | NELLSEMI 尼尔半导体 | | ||
4.0 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：165.63 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
4.0A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：201.52 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
Fast Switching Speed 文件：49.72 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：319.64 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
SSP4N80产品属性
- 类型
描述
- 型号
SSP4N80
- 制造商
SAMSUNG
- 制造商全称
Samsung semiconductor
- 功能描述
N-CHANNEL POWER MOSFETS
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
仙童 |
24+ |
TO-220 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
|||
SEC |
21+ |
TO-220 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO 220 |
155647 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
FSC |
23+ |
TO-220 |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
FAIRCHILD |
25+ |
TO-220 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
|||
VBsemi |
24+ |
TO220 |
11000 |
假一赔百原装正品价格优势实单可谈 |
|||
24+ |
N/A |
2520 |
|||||
FAIRCHILD/仙童 |
2447 |
TO220 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
SEC |
22+ |
TO-220 |
20000 |
只做原装 品质保障 |
|||
VBsemi |
21+ |
TO220 |
10010 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
SSP4N80规格书下载地址
SSP4N80参数引脚图相关
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