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400VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithst

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=17.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.27Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

400VN-ChannelMOSFET

Features •12.2A,400V,RDS(on)=0.27Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical45nC) •LowCrss(typical30pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

N-CHANNELPOWERMOSFET

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UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

400VN-CHANNELMOSFET

文件:730.64 Kbytes Page:8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
更新时间:2024-6-22 20:00:01
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FAIRCHILD/仙童
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TO-247TO-3PTO-3PF
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假一罚十原包原标签常备现货!
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TO-220-3
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