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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

1.Applications •PowerManagementSwitches •High-SpeedSwitching 2.Features (1)1.5-Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=66mΩ(max)(@VGS=1.5V) RDS(ON)=43mΩ(max)(@VGS=1.8V) RDS(ON)=32mΩ(max)(@VGS=2.5V) RDS(ON)=28mΩ(max)(@VGS=4.0V)

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PowerManagementSwitchApplications

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更新时间:2024-6-23 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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