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SSM6K210FE

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

○ High-Speed Switching Applications ○ Power Management Switch Applications • 4.0-V drive • Low ON-resistance: Ron = 371 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V), Ron = 228 mΩ (max) (@VGS = 10 V)

TOSHIBA

东芝

SSM6K210FE

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

SSM6K210FE

Small-signal MOSFET

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-29 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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TOSHIBA
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