SSM3K324R价格

参考价格:¥0.4344

型号:SSM3K324R,LF 品牌:Toshiba 备注:这里有SSM3K324R多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SSM3K324R批发/采购报价,SSM3K324R行情走势销售排行榜,SSM3K324R报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SSM3K324R

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

Features (1) 1.8-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 72 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 109 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters

TOSHIBA

东芝

SSM3K324R

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) 1.8-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 72 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 109 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)

TOSHIBA

东芝

SSM3K324R

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter

VBSEMI

微碧半导体

SSM3K324R

Small Low ON resistance MOSFETs

TOSHIBA

东芝

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) 1.8-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 72 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 109 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)

TOSHIBA

东芝

SSM3K324R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SSM3K324R

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-4 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
24+
NA/
61600
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
TOSHIBA/东芝
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SOT23-3
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TOSHIBA/东芝
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TOSHIBA(东芝)
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20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
TOSHIBA/东芝
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SOT-23F
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明嘉莱只做原装正品现货

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