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SSM3K324R_V01

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) 1.8-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 72 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 109 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-8-18 11:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
24+
SOT-23F
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TOSHIBA/东芝
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