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SSI4N60B	600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
SSI4N60B	600V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
4N60	4 Amps, 600 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 4N60is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications i	UTC 友顺	UTC
4N60	4 Amps竊?00Volts N-Channel MOSFET 文件：543.79 Kbytes Page：5 Pages	ESTEK 伊泰克电子	ESTEK
4N60	4 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：397.76 Kbytes Page：8 Pages	UTC 友顺	UTC
4N60	N-Channel Power MOSFET 文件：987.64 Kbytes Page：7 Pages	ARTSCHIP	ARTSCHIP
4N60	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：607.6 Kbytes Page：7 Pages	ZSELEC 淄博圣诺	ZSELEC

SSI4N60供应商更多...

更新时间：2025-12-30 16:59:00

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SSG9960
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2021-10-21
SSFN3317
SSFN3317,全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.
2021-7-22
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2019-11-20
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2019-11-11
SSI34P3402A-模拟杂项
SSI34P3402A设备是一种高性能BiCMOS单芯片均包含所有的读取通道IC要实现一个自适应的功能门槛读取通道。功能模块包括脉冲检测器自适应阈值限定符，可编程过滤器，和数据同步。原始数据8日至53 Mbit / s的速率，可以通过数字编程命令。SSI34P3402A允许在读完整的灵活性通道配置。所有关键参数都可以由微处理器通过一个双向的编程串行端口和一个银行内部寄存器。SSI34P3402A利用先进的BiCMOS随着工艺技术先进的电路设计结果在一个高性能的设备技术与低功耗。特点 •8日至53 Mbit / s的原始数据速率 &
2012-12-19